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采用加大硅片的片与片之间距离的方法，通过氧化通量模型，证实了加大硅片氧化时的间距能使氧化剂气流更好地硅片表面均匀反应，提高了氧化层的均匀性，在实际生产中取得了很好的效果。
提高硅片氧化均匀性的一种方法
【摘 要】
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采用加大硅片的片与片之间距离的方法，通过氧化通量模型，证实了加大硅片氧化时的间距能使氧化剂气流更好地硅片表面均匀反应，提高了氧化层的均匀性，在实际生产中取得了很好的效果
【机 构】
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中国兵器工业第214研究所
【出 处】
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集成电路通讯
【发表日期】
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2001年1期
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