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采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27．5 nm 的 W／Si 多层膜，使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力，采用 W、Si 共溅射技术制备 Wx Si1－x 膜层替换 W 膜层，制备出 Wx Si1－x／Si 多层膜，与 W／Si 多层膜的应力特性进行了比较研究。结果表明，W／Si 多层膜为较大的压应力，测量值为－476．86 MPa，Wx Si1－x／Si 周期多层膜为较小的压应力，测量值为－102．84 MPa。因此采用共溅射制备 Wx Si1－x 代替 W 可以显著改善多层膜的应力特性。