Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong424

【摘要】

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研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响.当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209 V/mm降至0.70 V/mm,40 Hz时,样品电阻从0.21 MΩ降至48.3 Ω,1 kHz时的相对

【作者】

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臧国忠王矜奉陈洪存苏文斌王文新王春明亓鹏

【机构】

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山东大学

【出处】

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压电与声光

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

：

ZNO 压敏材料势垒晶界 ZnO varistor material barrier grain boundary

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研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响.当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209 V/mm降至0.70 V/mm,40 Hz时,样品电阻从0.21 MΩ降至48.3 Ω,1 kHz时的相对介电常数从831增大到42 200.晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb对势垒高度的影响较小.ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因.对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释.

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