笑气中氧和水份对等离子氧化膜质量影响的探讨

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一、前言 随着硅片尺寸的增大和器件集成度的提高,高质量的绝缘膜对提高器件的成品率有很大的影响。利用等离子增强化学法气相淀积技术(PECVD)生长的等离子氧化膜,能较好地满足器件所要求的各种淀积特性。其反应气可采用硅烷SiH4和笑气N2O0大量氧气和水的存在,对CVD氧化膜的质量有很大的影响。硅烷遇氧气或水就生成无定形白色粉末状的二氧化硅:
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