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利用LPCVD SiO2和多晶硅作牺牲层和悬臂梁技术，解决了多晶硅应力释放问题以及微机械开关工艺与IC工艺兼容技术问题，获得了沉积弱张应力的多晶硅薄膜的最佳工艺条件，研制出多晶硅微机械开关，初步测试出其开关的开启电压为89V，开关速度为5us，这为研制用于雷达和通讯的全单片集成的RF MEMS开关系统打下了基础。