【摘 要】
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随着体硅CMOS工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,电路受到单粒子辐射效应的影响会变得越来越严重。在大尺寸工艺条件下常用的DICE结构触发器结构,在受到单粒子效应影响后,会
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随着体硅CMOS工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,电路受到单粒子辐射效应的影响会变得越来越严重。在大尺寸工艺条件下常用的DICE结构触发器结构,在受到单粒子效应影响后,会产生一定脉宽的扰动并传输至下一级,对整个电路的可靠性产生影响。为消除上述影响,采用了C单元结构对触发器的输出端口进行优化设计,将原有的一个结点输出结构优化为利用两个互补的存储结点作为C单元结构的输入。利用仿真手段对优化后的结构进行验证,证明了优化后的结构有很好的抗扰动能力,同时通过优化版图设计,提升触发器结构的抗辐射能力。经过此次对触发器
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