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在分析了采用低电压工作时数字电路性能下降甚至不能正常工作的原因后，提出了两种适合于低电压nMOS电路设计的串联开关转换成并联开关技术，并从开关级具体设计了低电压三值nMOS电路．对设计的电路进行模拟得到的结果表明，在采用标准工艺参数时，只要工作电压不低于管子阈值，则本文设计的低电压电路不仅具有正确的逻辑功能，而且具有较快的速度．