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全方位离子注入与沉积（Plasma immersion ion implantation and deposition，PIIID）技术发展到现在，已经逐步走向工业化应用。本文介绍了全方位离子注入与沉积技术的原理，探讨了全方位离子注入与沉积工业机应该具备的功能，介绍了研制成功的全方位离子注入与沉积设备的结构和实施效果，其脉冲阴极弧等离子体源沉积速率达到2．9A／s，IGBT固体开关调制器输出电压达到10kv，能够一次处理多个工业零件。