具有优化沟槽HiGT结构的3.3kV/1800 A IGBT及其模块优化设计

来源 :大功率变流技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:dder77
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日立公司开发了具有最高电流等级的3.3k V/1800A IGBT模块,其额定电流等级比现有同尺寸、同电压等级常规产品提高了20%。通过采用优化沟槽Hi GT结构,降低了器件功耗,同时优化了模块的电、热性能设计,降低了热阻以及寄生电感。 Hitachi has developed the 3.3k V / 1800A IGBT module with the highest current rating, which is rated at 20% more current rating than conventional, same-voltage, conventional products. By adopting the optimized trench Hi GT structure, the power consumption of the device is reduced, meanwhile, the module’s electrical and thermal performance design is optimized, and the thermal resistance and the parasitic inductance are reduced.
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