台面工艺相关论文
介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法、湿法腐蚀的机理、腐蚀方法、影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异质结晶体管中的应用
The mechanism of dry and......
平面型双向触发二极管双向触发二极管广泛用于双向可控硅和电子镇流器的触发电路中。目前市场上的双向二极管多数都是从汤姆逊进口......
本文对液相钝化工艺在高反压功率晶体管生产中应用方面的问题,进行了研究和总结,取得较显苦的效果。同时对生成表面钝化膜的化学反......
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的Si Ge HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2......
InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果......
一、引言 随着电子技术的飞跃发展,对半导体分立器件的电学性能和可靠性要求越来越高。同时,提高器件的生产效率、降低成本、减少......
用外延台面工艺,研制了GaAs单片集成电路。结合正性光刻胶的1微米金属剥离技术,快升温合金技术和栅区深腐蚀技术,已研制出平均时延......
本文在讨论了特大电流高压晶体管面临的热应力和热击穿威胁的基础上,为克服一般平面和台面工艺在制作特大容量晶体管方面所存在的......
本文介绍采用环形保护结试制的npn型硅高反压中功率平面管的设计和制做工艺.管子的可靠性和稳定性比采用台面工艺优越,工艺手段简......
晶体管的开关特性,与半导体中少子寿命有关,提高晶体管开关速度的传统工艺方法是借助于高温扩散在芯片中引入诸如金、铂等深能级......
1.复合钝化工艺的提示众所周知,低频大功率管为了达到大电流,高耐压的目的,一般均采用三重扩散台面工艺.由于pn结暴露在外,台面钝......
二极管的芯片生产工艺有台面工艺和平面工艺两种,平面二极管芯片由于是在外延硅材料上通过高温生成保护膜及聚酰亚胺保护层,不同于......
深入研究了牺牲层腐蚀机制，摸索出完整的台面自停止工艺并实际应用于OEIC器件制作。实验中发现了侧蚀、台面变形以及表面清洁等问题......
针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽......
