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在日本京都召开的2005年VLSI研讨台上．Crolles2联盟宣读了一篇有关在正常制造条件下采用标准GMOS体效应技术和45nm设计规则制造面积小于0.25μm^2的六晶体管SRAM位单元的论文．这个单元尺寸比先前的解决方案缩小了一半。
Crolles2联盟采用45nm CMOS体效应技术开发超高密度SRAM单元
【摘 要】
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在日本京都召开的2005年VLSI研讨台上．Crolles2联盟宣读了一篇有关在正常制造条件下采用标准GMOS体效应技术和45nm设计规则制造面积小于0.25μm^2的六晶体管SRAM位单元的论文．
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2005年7期
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