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[学位论文] 作者：丁士进,
来源：复旦大学 年份：2001
随着集成电路特征尺寸趋向0.18μm,互连电阻-电容(RC)延迟、功耗、串扰变得更加难以容忍.为了解决这些问题,用低介电常数材料做互连介质是显得非常紧迫.在此背景之下,作者研...
[学位论文] 作者：丁士进,
来源：杭州大学 浙江大学 年份：1998
该论文实验工作分两部分:第一部分研究了用BPO和稀土氧化物为原料制备La(PO,BO):Ce,Tb绿色荧光粉的最佳条件,同时还讨论了该基质中Ce,Tb的发光及其它们之间的能量传递,发现该...
[期刊论文] 作者：邵龑, 丁士进,,
来源：物理学报 年份：2018
对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述．氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素，能以正离子和......
[期刊论文] 作者：丁士进,徐宝庆,
来源：发光学报 年份：2000
用ＢＰＯ４和稀土氧化为原料，通过单片灼烧，首次合成了铈、铽、钆共激活的硼磷钇绿色荧光粉，利用发射光谱和激发光谱研究了基质中Ｃｅ＾３＋、Ｔｂ＾３＋、Ｇｄ＾３＋的发光以及它们之间的相互作用结果表明在铈、铽或钆......
[期刊论文] 作者：丁士进,徐宝庆,
来源：稀土 年份：2000
用ＢＰＯ４和稀土氧化物为原料，首次合成了铈、铽、钆共激活的硼磷酸钇绿色荧光粉，研究了基质中Ｃｅ＾３＋、Ｔｂ＾３＋、Ｇｄ＾３＋的发光以及它们之间的相互作用。该基质中存在Ｃｅ＾３＋→Ｔｂ＾３＋的能量传递，以及Ｃｅ＾３＋和Ｇｄ＾３＋之间的竞争吸收和独......
[期刊论文] 作者：丁士进,徐宝庆,
来源：化学研究与应用 年份：2000
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[期刊论文] 作者：王鹏飞,丁士进,
来源：微电子学 年份：2000
用ＰＥＣＶＤ淀积了低介电常数的掺氟氧化硅介质薄膜，ＳｉＦ４的流量达到６０ｓｃｃｍ时，薄膜的相对介电常数可以降低到３．２。对试样的ＦＴＩＲ分析表明，薄膜中大部分的氟以Ｓｉ－Ｆ键形式存在。Ｃ－Ｖ特性测试表明，薄膜介电常数随氟含量的......
[会议论文] 作者：苟鸿雁;丁士进;,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
采用物理气相淀积(PVD)后退火的方法在原子层淀积的Al2O3薄膜表面生长钌(Ru)纳米晶，研究了淀积Ru薄膜的初始厚度、退火温度和退火时间对Ru纳米晶形成的影响，通过原子力显微镜（AF...
[期刊论文] 作者：丁士进,徐宝庆,
来源：功能材料 年份：2000
首次用磷酸硼和稀土氧化物为主要原料制备铈、铽共激活的硼磷酸盐绿色荧光粉，并对Ｃ３＾３＋－Ｔｂ＾３＋的能量传递进行了研究，发现在该基质中Ｃｅ＾３＋、Ｔｂ＾３＋间的能量传递为电多极子相互作用的共振传递，能量传递效......
[会议论文] 作者：黄宇健,丁士进,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了一种基于原子层淀积(ALD)方法生长的高密度二氧化铪金属-绝缘体-金属(MIM)电容,获得的电容密度达到了9.76fF/μm2,漏电流在1V时处于～10-8A/cm2量级,电压系数(VCC)为...
[会议论文] 作者：钱仕兵,丁士进,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
采用原子层淀积制备了以Al2O3/Ni纳米晶/Al2O3叠层结构为栅介质层的非晶铟镓锌氧(a-IGZO)沟道的薄膜晶体管(TFT)存储器.原子层淀积的Ni纳米晶平均直径约为3-4nm,密度约为1.01...
[会议论文] 作者：黄玥;苟鸿雁;丁士进;,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文根据隧穿层能带工程提出的“可变氧化层厚度”的概念，设计了SiO2/HfO2/A2lO3叠层作为纳米晶MOS电容的隧穿层。利用金属层夹在隧穿层和控制层中间再进行退火处理会限制原子...
[期刊论文] 作者：张敏,丁士进,陈玮,张卫,,
来源：微电子学 年份：2007
金属纳米晶具有态密度高、费米能级选择范围广以及无多维载流子限制效应等优越性，预示着金属纳米晶快闪存储器在下一代闪存器件中具有很好的应用前景。从金属纳米晶存储器的工......
[期刊论文] 作者：丁士进，张卫，王季陶,
来源：城市道桥与防洪 年份：2000
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：崔兴美,陈笋,丁士进,,
来源：半导体技术 年份：2013
非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器件等应用中所具有的优势,然后对a-IGZO薄膜...
[会议论文] 作者：钱可嘉;丁士进;张卫;刘冉;,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
以C2F6、SiH4和N2O为反应前驱体，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）制备了新型低介电常数SiCONF介质薄膜，并通过X射线光电子能谱（XPS）、电容－电压（C-V）和电流－电压（I-V）特性测试以及纳......
[期刊论文] 作者：丁士进,张卫,徐宝庆,王季陶,
来源：功能材料与器件学报 年份：2001
以 BPO4和稀土氧化物为原料制备了铈、铽、钆共掺杂的硼磷酸镧绿色荧光粉，研究了基质中 Gd3＋、 Ce3＋、 Tb3＋的发光特性及它们之间的相互作用。在该基质中存在 Ce3＋→ Gd3＋、Gd3＋→ T......
[期刊论文] 作者：丁士进,张卫,徐宝庆,王季陶,
来源：功能材料 年份：2000
首次用磷酸硼和稀土氧化物为主要原料制备铈、铽共激活的硼磷酸盐绿色荧光粉 ,并对Ce3+-Tb3+的能量传递进行了研究 ,发现在该基质中Ce3+、Tb3+间的能量传递为电多极子相互作...
[期刊论文] 作者：丁士进, 张卫, 徐宝庆, 王季陶,,
来源：发光学报 年份：2000
用ＢＰＯ４和稀土氧化物为原料，通过单步灼烧，首次合成了铈、铽、钆共激活的硼磷酸钇绿色荧光粉，利用发射光谱和激发光谱研究了基质中Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋、Ｇｄ３＋的发光以及它们之间的相互作用。结果表明在铈、......
[期刊论文] 作者：刘骐萱,王永平,刘文军,丁士进,
来源：物理学报 年份：2017
研究了基于Ni电极和原子层淀积的ZrO2/SiO2/ZrO2对称叠层介质金属-绝缘体-金属（MIM）电容的电学性能.当叠层介质的厚度固定在14nm时,随着SiO2层厚度从0增加到2nm,所得电容密度从...
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