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[学位论文] 作者：万璐绪,,
来源：安徽大学 年份：2004
在科学技术日新月异的今天,越来越多的电子产品进入我们的生活中,半导体器件作为电子产品的核心被广泛应用于数模集成电路和半导体存储器中。功率VD-MOS器件作为新一代半导体...
[期刊论文] 作者：万璐绪, 杨建国, 柯导明, 吴笛, 杨菲, 陈甜,,
来源：中国科学:信息科学 年份：2019
文章提出了高k+SiO2栅FD-SOI （fully depleted silicon-on-insulator） MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL （drain induced barrier lowing）效应计算模...
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