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[会议论文] 作者：潘宏菽,乔树允,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
该文介绍了一种工作在感性负载下的浅结、窄基区硅大功率双极型晶体管，并给出了提高晶体管抗烧毁的几种措施。...
[期刊论文] 作者：陶有翠,乔树允,
来源：微电子学 年份：1988
双极型晶体管在受到中子辐照之后,要引起电流增益和饱和压降的退化。本文主要分析:1.不同纵向参数的器件,电流增益在各个区域的退化程度,且与测试h_(FE)时的电流密度及h_(FEo...
[期刊论文] 作者：曾庆明,李献杰,蒲云章,乔树允,,
来源：红外与激光工程 年份：2006
采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p 型欧姆接触、AuGeNi n 型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面 InP/InGaAs 雪崩光电二极管,器...
[会议论文] 作者：曾庆明,李献杰,乔树允,王全树,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文介绍InGaAs PIN高速光电探测器的结构设计、批量生产技术、可靠性保证以及测试技术,并给出了系列产品的主要性能....
[会议论文] 作者：曾庆明,李献杰,蒲运章,乔树允,王全树,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文介绍一种有很低暗电流正面进光的InGaAs PIN高速光电探测器的设计和制造技术,对于光敏面为Φ40μm、20μm,和Φ12μm的高速光电探测器芯片,测量出其电容分别为173FF、60FF和34FF;-5v反偏暗电流为~0.1nA,1.31um波长响应度为~0.8A/W;装配在载体上测量出到18Gb......
[期刊论文] 作者：敖金平,刘伟吉,李献杰,曾庆明,赵永林,乔树允,徐晓春,王全,
来源：半导体光电 年份：2002
介绍了利用InGaAs 长波长金属-半导体-金属(MSM)光探测器与InAlAs/InGaAs 高电子迁移率晶体管(HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等,解...
[期刊论文] 作者：敖金平,刘伟吉,李献杰,曾庆明,赵永林,乔树允,徐晓春,王全树,
来源：半导体光电 年份：2002
介绍了利用InGaAs长波长金属 半导体 金属 (MSM )光探测器与InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管 (HEMT)集成来实现长波长单片集成光接收机的材料和电路设计、关键工艺途径等...
[期刊论文] 作者：李献杰,曾庆明,周州,刘玉贵,乔树允,蔡道民,赵永林,蔡树军,
来源：半导体学报 年份：2005
制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN／GaN高电子迁移率晶体管．0V栅压下，0．3μm增长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0．85A／mm，峰值跨导为225mS／mm；特征频率和最高振荡频率分别为45和10......
[期刊论文] 作者：李献杰,曾庆明,周州,刘玉贵,乔树允,蔡道民,赵永林,蔡树军,
来源：半导体学报 年份：2005
制作了蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管.0V栅压下,0·3μm栅长、100μm栅宽的器件的饱和漏电流密度为0·85A/mm,峰值跨导为225mS/mm;特征频率和最高振荡频率...
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