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[学位论文] 作者：付丙磊,
来源：中国科学院大学 年份：2015
氮化物发光二极管(light emitting diodes，LEDs)的快速发展近年来受到了广泛的关注。其应用方向由仪表指示灯，信号灯和大面积显示屏等领域向通用照明领域迅速渗透，并开启了智慧...
[期刊论文] 作者：付丙磊,张争光,王志越,
来源：电子工业专用设备 年份：2018
对第三代半导体GaN材料体系的拉曼光谱测试进行了综述,并展望了其在第三代半导体无损检测领域的应用前景。...
[期刊论文] 作者：王志越,巩小亮,付丙磊,
来源：科技导报 年份：2021
第三代半导体以碳化硅、氮化镓等材料为代表,已经在5G基站、新能源汽车充电桩等新基建领域崭露头角。第三代半导体加工工艺具有高温、高能量、低损伤等特点和要求,决定了其制造装备相对通用半导体制造装备具有独特性。综述了第三代半导体制造装备需求及其国产化......
[期刊论文] 作者：周哲, 付丙磊, 董天波, 芦刚,
来源：电子工业专用设备 年份：2022
针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度，分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋势，重点介绍集成电路工艺设备、分立器件工艺设备等细分领域的技术发展态势和主要技术挑战。......
[期刊论文] 作者：付丙磊,刘乃鑫,刘喆,李晋闽,王军喜,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
The advantages of In GaN/GaN light emitting diodes(LEDs) with p-GaN grown under high pressures are studied.It is shown that the high growth pressure could lead...
[期刊论文] 作者：高德平,付丙磊,贾净,颜秀文,刘玄博,周哲,,
来源：电子工艺技术 年份：2017
当前碳化硅产业的快速发展对装备国产化提出了更高的要求,迫切需要通过借鉴国外先进技术,进行产学研结合的协同创新,全面提升研发、制造能力,满足市场要求,推动我国宽禁带半...
[期刊论文] 作者：周哲,付丙磊,王栋,颜秀文,高德平,王志越,,
来源：电子工业专用设备 年份：2017
对当前集成电路制造工艺的主要挑战、研究现状进行了综述,并对其发展趋势进行了展望。...
Anomalous luminescence efficiency enhancement of short-term aged GaN-based blue light-emitting diode
[期刊论文] 作者：曹可慰,付丙磊,刘喆,赵丽霞,李晋闽,王军喜,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
The origin of anomalous luminescence efficiency enhancement of short-term aged Ga N-based blue light-emitting diodes was studied. We found that the intensity of...
[期刊论文] 作者：吴春晖,朱石超,付丙磊,刘磊,赵丽霞,王军喜,陈宏达,,
来源：发光学报 年份：2017
分别在直流偏置和交流偏置下,对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示,通过改变靠近p型层的量子垒(也就是最后一个量子垒)中的In组分可以调控有源区中的载流...
[期刊论文] 作者：吴春晖,朱石超,付丙磊,刘磊,赵丽霞,王军喜,陈宏达,
来源：发光学报 年份：2017
分别在直流偏置和交流偏置下，对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示，通过改变靠近P型层的量子垒（也就是最后一个量子垒）中的In组分可以调控有源区中的载流子分......
Selective Area Growth and Characterization of GaN Nanorods Fabricated by Adjusting the Hydrogen Flow
[期刊论文] 作者：任鹏,韩刚,付丙磊,薛斌,张宁,刘喆,赵丽霞,王军喜,李晋闽,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
GaN nanorods are successfully fabricated by adjusting the how rate ratio of hydrogen(H_2)/nitrogen(N_2) and growth temperature of the selective area growth(SAG)...
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