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[期刊论文] 作者：周天宇,刘学超,代冲冲,黄维,施尔畏,
来源：强激光与粒子束 年份：2014
采用V掺杂半绝缘6H-SiC单晶衬底材料制备了平面电极型大功率SiC光导开关,用强度为150 μJ/mm2、波长为355 nm的脉冲激光对开关进行触发,在1～14 kV的外加电压范围内对光导开关...
[会议论文] 作者：代冲冲;刘学超;周天宇;黄维;杨建华;施尔畏;,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
本文选择Ni/V双层金属结构，研究了引入V对Ni/4H-SiC欧姆接触性能的影响。实验结果表明，Ni/V双层金属结构在退火温度高于950℃才能与SiC半导体形成良好的欧姆接触；不同厚度的Ni/V...
,Application of an Al-doped zinc oxide subcontact layer on vanadium-compensated 6H-SiC photoconducti
[期刊论文] 作者：周天宇,刘学超,黄维,代冲冲,郑燕青,施尔畏,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2015
Al-doped ZnO thin film (AZO) is used as a subcontact layer in 6H–SiC photoconductive semiconductor switches (PCSSs) to reduce the on-state resistance and optim...
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