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[期刊论文] 作者：黄大定,秦复光,姚振钰,刘志凯,任治璋,林兰英,高维滨,任庆余,
来源：半导体学报 年份：1995
采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明......
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