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[学位论文] 作者:余瑞女, 来源:西北工业大学 年份:1999
该文以SiC、AlO为原料,外加少量添加剂,采用干压成型,在气氛保护下,在真空炉中烧结,制备SiC电嘴半导体材料,用D/max-A型X射线衍射分析仪和JSM-35C型扫描电子显微镜研究材料显...
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