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[学位论文] 作者：关兴国,,
来源：西南财经大学 年份：2007
本文尝试从流程管理和内部控制相结合的角度阐述如何通过加强流程管理来促进企业内部控制,来帮助企业恰当、有效、安全的配置资源,从而更好地达成企业的目标。全文共分为四个...
[期刊论文] 作者：关兴国,
来源：材料导报 年份：2001
80年代末期以来,用MOCVD生长的异质结、量子阱和超晶格材料日益显示出它在技术上的重要性,用其制作的LED具有常规器件无法比拟的优异性能,并且以全新的概念改变了器件的...
[期刊论文] 作者：关兴国,
来源：半导体情报 年份：1994
超晶格的概念与先进的材料生长技术相结合产生了半导体微结构材料。目前，材料设计、材料生长和深微米技术的一体化，推动着半导体微结构材料向着低维化方向发展。...
[期刊论文] 作者：关兴国,
来源：辽宁电机工程学报 年份：1994
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[期刊论文] 作者：关兴国,
来源：地球物理学报 年份：1980
本文总结了海城地震的中期、短期和临震阶段的地倾斜异常特征。指出中期异常的特征是破坏年变化规律,异常时间在半年以上,幅度可达几个角秒。短期异常的特征是打结和转向,异...
[期刊论文] 作者：李景,关兴国,
来源：半导体情报 年份：1994
用低压ＭＯＣＶＤ（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长三种不同的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，其中两种含ＡｌＧａＡｓ限制层。结果表明，ＡｌＧａＡｓ限制层对量子阱的发光强度影响很大，与没有ＡｌＧａＡｓ限制层的结果相比，带ＡｌＧａＡｓ限制层的结构的发光强度要强一个数量级以上。......
[会议论文] 作者：李景,关兴国,
来源：第四届全国固体薄膜学术会议 年份：1994
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[期刊论文] 作者：关兴国,章其麟,
来源：半导体情报 年份：1993
以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10~(20)/cm~3,相应的迁移率为37cm~2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现...
[期刊论文] 作者：关兴国,严振斌,
来源：半导体情报 年份：2000
采用金属有机化合物汽相沉积技术生长用于高亮度发光管（ＵＢ－ＬＥＤ）的ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ半导体微结构材料，突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术，生长出满足于Ｃｄ级的红、橙、黄光ＬＥＤ器件的外延材料。......
[期刊论文] 作者：章其麟,关兴国,
来源：半导体情报 年份：1995
用ＭＯＣＶＤ生长发射波长为８０８ｎｍ的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒（ＭＱＢ）层，有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外，从而降低了激光器的阈值电流，提高了它的特......
[期刊论文] 作者：李彦平,关兴国,,
来源：半导体情报 年份：1996
９０年代初Ⅲ－Ⅴ族氮化物材料的实和化似乎还很遥远，但是自从蓝光ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤ研制成功之后这个领域发巨变。目前，ＧａＮ成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中，基于ＧａＮ材料的激光器，ＨＶ探测器和大......
[期刊论文] 作者：关兴国,李中南,章其麟,,
来源：半导体情报 年份：1988
使用MOCVD技术生长GaAs,结果表明,纯度GaAs中起支配作用的电活性杂质是C和Si。综合C和Si的作用,建立了简单的热力学模型,得到As/Ga比对载流子类型和浓度影响的解析表达式,并...
[期刊论文] 作者：关兴国,李中南,章其麟,,
来源：半导体情报 年份：1988
在界面平衡理论基础上,考虑到杂质掺入和蒸发的细致过证,建立了GaAs中掺S、Zn的理论公式。所预言的工艺参数对载流于浓度影响的趋势同实验结果相一致,从而解释了以往文献中所...
[期刊论文] 作者：李景,关兴国,章其麟,
来源：半导体情报 年份：1994
用低压ＭＯＣＶＤ（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）生长三种不同的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，其中两种含ＡｌＧａＡｓ限制层。结果表明，ＡｌＧａＡｓ限制层对量子阱的发光强度影响很大，与没有ＡｌＧａＡｓ限制层的结果相比，带ＡｌＧａＡｓ限制层的结构的发光强度要强一个数量级以上。......
[期刊论文] 作者：关兴国,李景,章其麟,任永一,
来源：稀有金属 年份：1993
研究了ＭＯＣＶＤ法ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多层异质结材料的生长工艺。通过对材料的测试分析与器件研制，得出了ＧａＡｌＡｓ发射极的ＰＬ性质和多层材料的纵向浓度分布是ＨＢＴ材料的质量表征的结论，采用提高系统密封性和载气纯度、生......
[期刊论文] 作者：章其麟,李景,关兴国,王苏眉,,
来源：半导体情报 年份：1990
本文研究了MOCVD生长GaAs,Ga_(1-x)Al_xAs的生长工艺及材料特性,生长出用于HBT的Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs多层异质结构材料。器件的最大电流放大系数为100,截止频率为2.4GHz。I...
[期刊论文] 作者：关兴国,章其麟,李景,任永一,刘燕飞,,
来源：半导体情报 年份：1993
以四氧化碳(CCl_4)为掺杂剂进行了MOCVD生长掺碳GaAs的研究。p-GaAs外延层的最高空穴浓度可达1.8×10~(20)/cm~3,相应的迁移率为37cm~2/V.s。在重掺杂p-GaAs外延层中出现明显...
[期刊论文] 作者：章其麟,关兴国,刘英斌,张正德,张荣桂,
来源：半导体情报 年份：1995
用ＭＯＣＶＤ生长发射波长为８０８ｎｍ的ＡＬＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒（ＭＱＢ）层，有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外，从而降低了激光器的阈值电流，提高了它的特......
[期刊论文] 作者：李景,章其麟,关兴国,任永一,刘英斌,刘燕飞,
来源：半导体情报 年份：1994
用ＭＯＣＶＤ生长了用于ＧａＡｓ变容二极管的结构材料。分别用ＳｉＨ＿４和ＣＣｌ＿４作为掺杂剂对ＧａＡｓ进行ｎ型和ｐ型掺杂，找到了适合高质量变容管材料的方法．材料用于器件制作，得到了反向击穿电压大于２５Ｖ、电容变化比大于４０的变容......
[期刊论文] 作者：赵家龙,梁家昌,高瑛,刘学彦,苏锡安,关兴国,章其麟,
来源：半导体学报 年份：1992
本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量...
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