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[会议论文] 作者：冯泉林;李宗峰;赵而敬;王磊;肖清华;张果虎;,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
高温退火工艺可以消除硅片近表层的COP,使得近表层晶体结构更加完美。本文研究了高温退火工艺参数变化对300mm硅片COP消除效果的影响,分析了高温退火温度和恒温时间对COP...
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