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[期刊论文] 作者：刘恩序,李俊杰,刘阳,杨超然,周娜,李俊峰,罗军,王文武,
来源：材料导报 年份：2023
环栅（Gate-All-Around）晶体管是3nm以下节点替代现有鳍式晶体管（FinFET）最有竞争力的器件结构，能有效改善器件尺寸沿着摩尔定律不断微缩带来的短沟道效应。GAA器件制备的工艺流程中，内侧墙制备和沟道释放是相对于FinFET新引入的工艺模块，均需要SiGe选择性刻蚀技术。工......
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