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[学位论文] 作者：刘斯扬,,
来源：深圳大学 年份：2016
有机电致发光二极管作为新一代发光器件,在20世纪后期发展至今,研究技术越发成熟,一大批高性能、高色纯度、长寿命的有机电致发光材料和与发光材料相配合的有机功能材料不断...
[学位论文] 作者：刘斯扬,,
来源：东南大学 年份：2015
绝缘体上硅(SO1)功率集成器件具有集成密度高、静态功耗低、开关速度快及抗闩锁能力强等优点,而p型横向双扩散MOS器件(pLDMOS)作为高边驱动可以简化功率集成电路的复杂度,减...
[学位论文] 作者：刘斯扬,
来源：东南大学 年份：2011
功率集成电路提高了整机系统的稳定性和可靠性，已在国民经济各领域中发挥了重要的作用。SOI(Silicon-On-Insulator, SOI)介质全隔离的实现有助于减小各种寄生效应，而横向绝缘栅...
[学位论文] 作者：刘斯扬,
来源：东南大学 年份：2004
绝缘体上硅(SOI)功率集成器件具有集成密度高、静态功耗低、开关速度快及抗闩锁能力强等优点，而p型横向双扩散MOS器件(pLDMOS)作为高边驱动可以简化功率集成电路的复杂度，减小...
[期刊论文] 作者：王剑峰,刘斯扬,孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2015
针对TO-220封装的功率器件,利用ANSYS软件对其进行三维建模及模型校准,校准过程研究了有无PCB板、热源厚度及有无引线对模型准确性的影响。进而基于校准后模型,研究了粘结层...
[期刊论文] 作者：霍昌隆,刘斯扬,钱钦松,,
来源：电子科技 年份：2012
研究了高压SOI—LIGBT器件的单脉冲正偏安全工作区（FBSOA）的绘制方法。首先，分别提取器件的热阻与热容，并借助热阻抗公式计算器件的瞬态热阻抗，进而根据热阻抗与最大允许功率之间......
[期刊论文] 作者：顾新艳,孙陈超,刘斯扬,,
来源：电子器件 年份：2015
射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（RF-LDMOS）缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS...
[期刊论文] 作者：刘斯扬,钱钦松,孙伟锋,,
来源：Journal of Southeast University(English Edition) 年份：2010
为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显...
[期刊论文] 作者：刘斯扬,钱钦松,孙伟锋,
来源：东南大学学报（英文版） 年份：2004
为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显...
[期刊论文] 作者：潘红伟,刘斯扬,孙伟锋,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
The low snapback holding voltage of the SCR-LDMOS device makes it susceptible to latch-up failure,when used in power-rail ESD(electro-static discharge) clamp ci...
[期刊论文] 作者：万维俊,刘斯扬,孙虎,孙伟锋,
来源：东南大学学报：自然科学版 年份：2012
针对FG-pLEDMOS施加高栅压低漏压的热载流子应力会使器件线性区漏电流发生退化,而阈值电压基本保持不变,使用TCAD软件仿真以及电荷泵测试技术对其进行了详细的分析.结果表明：...
[期刊论文] 作者：于冰,张頔,刘斯扬,孙伟锋,,
来源：电子器件 年份：2013
研究了LQFP封装的96路等离子平板显示（PDP）扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研...
[期刊论文] 作者：叶伟,戴佼容,刘斯扬,孙伟锋,,
来源：航空兵器 年份：2014
基于0．5μm CMOS工艺设计并制备了一种应用于红外焦平面读出电路的多层堆叠（ stack）电容结构，测试结果表明，相比单一形式电容，stack电容的单位面积值增大两倍以上，因而能够有效地提......
[期刊论文] 作者：卫能,刘斯扬,万维俊,孙伟锋,,
来源：微电子学 年份：2014
阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异...
[期刊论文] 作者：王昊,刘斯扬,孙伟锋,黄婷婷,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
The ESD response characteristic in a p-type symmetric lateral DMOS(ps-LDMOS) has been investigated. The experimental results show that the ps-LDMOS has weak ESD...
[期刊论文] 作者：刘超,张春伟,刘斯扬,孙伟锋,,
来源：Journal of Southeast University(English Edition) 年份：2016
针对沟槽栅纵向双扩散场效应晶体管(trench-gate MOSFET),提出了一种新型的SPICE模型.通过对沟槽栅MOSFET器件的物理特性及其内在结构分析,建立了漂移区电阻模型.为了准确模...
[期刊论文] 作者：黄婷婷,刘斯扬,孙伟锋,张春伟,
来源：东南大学学报：英文版 年份：2014
提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT），该晶体管在沟道下方的 P 型体区旁增加了一个特殊的低掺杂 P 型阱区，在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电......
[期刊论文] 作者：李秀军,刘斯扬,李胜,孙伟锋,
来源：东南大学学报：自然科学版 年份：2018
为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管（VDM OS）模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描述碳化硅基VDM OS器件电学特性的模型.模型包...
[期刊论文] 作者：叶然,张春伟,刘斯扬,孙伟锋,,
来源：东南大学学报(自然科学版) 年份：2015
针对带有栅极场板的绝缘体上硅p型横向双扩散场效应晶体管（SOI-p LDMOS）,提出了一种新型表面电场解析模型.相比于传统模型,该模型充分考虑了场板边缘效应对电场分布的影响,验证...
[期刊论文] 作者：郑维山,孙虎,刘斯扬,孙伟锋,,
来源：东南大学学报(自然科学版) 年份：2011
研究了不同漂移区长度及不同栅场极板长度的厚栅氧化层pLEDMOS器件由热载流子效应导致的导通电阻及阈值电压的退化现象及机理.实验结果表明,增加漂移区长度能改善器件的导通...
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