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[学位论文] 作者:周婉睛, 来源:河北工业大学 年份:2023
随着集成电路特征尺寸发展到5 nm及以下,作为互连的铜(Cu)已无法满足先进互连结构的芯片性能要求。钴(Co)成为了能够替代后端线路(BEOL)中Cu用作互连的理想金属材料。Co作互连线时,互连阻挡层使用的材料是钛(Ti)。因此在进行阻挡层化学机械抛光(CMP)时,Co与Ti会发生电偶腐......
[期刊论文] 作者:孟凡浩,孙鸣,周婉睛,赵立仕, 来源:应用化工 年份:2021
通过电化学和化学机械抛光实验,研究了铜互连CMP中低浓度缓蚀剂BTA和非离子表面活性剂O-20复配对Cu电化学腐蚀及去除速率的影响,同时利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)表征了Cu表面形貌.电化学实验结果表明,在双氧水、甘氨酸体系下,0.5 mmol/L BTA与0......
[期刊论文] 作者:周婉睛,孙鸣,孟凡浩,阳小帆,杨朝霞, 来源:电镀与涂饰 年份:2021
通过电化学测试研究了pH、配位剂(柠檬酸钾)和缓蚀剂[包括1,2,4−三氮唑(TAZ)和3−氨基−5−巯基−1,2,4−三氮唑(AMTA)]对Co/Ti电偶腐蚀的影响。结果表明,溶液pH升高会增大C...
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