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[期刊论文] 作者：商跃辉,
来源：中国保健营养 年份：2018
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[期刊论文] 作者：郭维廉,牛萍娟,苗长云,于欣,王伟,商跃辉,冯震,田国平,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2008
为了研究器件参数与材料结构的关系，设计了三种不同的GaAs基RTD材料结构。通过完全相同的器件制造工艺，研制出三种RTD器件，并测量了它们的9个直流参数。对测量结果进行了对比和......
[期刊论文] 作者：郭维廉,梁惠来,张世林,胡留长,毛陆虹,宋瑞良,牛萍娟,王伟,商跃辉,王国全,冯震,,
来源：半导体学报 年份：2006
鉴于已报道的平面共振遂穿二极管(PRTD)存在的缺点,文中提出了一种新的平面RTD器件结构.以n+GaAs代替半绝缘GaAs衬底,利用硼离子注入产生的非晶化作为RTD器件的电隔离,成功设...
[期刊论文] 作者：梁惠来,郭维廉,宋瑞良,齐海涛,张世林,胡留长,李建恒,毛陆虹,商跃辉,冯震,田国平,李亚丽,,
来源：半导体学报 年份：2007
对RTD/HEMT串联型共振隧穿三极管进行了设计和研制.测量结果表明:最大电流峰谷比为17.6∶1,栅压对峰值电压调控能力在1.5～7.7范围内,-3dB截止频率为4GHz,此种器件可与HEMT在结...
[期刊论文] 作者：郭维廉,梁惠来,宋瑞良,张世林,毛陆虹,胡留长,李建恒,齐海涛,冯震,田国平,商跃辉,刘永强,李亚丽,袁明文,李效白,,
来源：半导体学报 年份：2006
在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的...
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