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[学位论文] 作者：姚靖懿,,
来源：南京航空航天大学 年份：2017
SiC作为如今越来越热门的第三代宽禁带半导体材料,拥有热导率高、饱和电子漂移速度高、禁带宽度大、击穿电场高、热稳定性高等一系列特点,因此在航天航空、核电以及大功率高...
[期刊论文] 作者：戴鹏飞, 李征, 戴姜平, 常龙, 姚靖懿, 程伟, 任春江,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
报道了采用多层布线的101.6 mm（4英寸）0.7μm InP HBT圆片工艺。器件工艺中台面均采用湿法腐蚀工艺,结合自对准光刻和BCB互联平坦化工艺,并集成了金属薄膜电阻和MIM电容。研制...
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