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[期刊论文] 作者：娄书礼,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：1996
1 前言随机抽取了5部x波段GaAsFET高Q介质谐振振荡器进行额定工作寿命试验,连续工作了4年多而无一失效;然后接着进行室温条件下非工作状态贮存寿命试验,历经7年未发现实...
[期刊论文] 作者：娄书礼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行...
[期刊论文] 作者：娄书礼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
任何电气产品除必须具有先进的电气性能外,还必须具有高的可靠性水平.在一定意义上讲,稳定可靠更为重要.为了了解南京固体器件研究所某些产品的可靠性水平,已对GaAs三厘米雪...
[期刊论文] 作者：刘鸿雁,娄书礼,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文简介了全MESFET 8GHz无人值守中继机的可靠性设计和可靠性预测.叙述了这一中继机所用元器件的可靠性优选方法.最后给出无人值守中继机现场运行试验结果:MTBF≥60000小时....
[期刊论文] 作者：陶有迁,娄书礼,
来源：电视技术 年份：2000
介绍了目前国内部分射频调制器的结构，通过测试试验对射频调制器的质量进行了分析研究，对一些已用于或尚未用于射频调制器的器件进行试验研究。...
[期刊论文] 作者：娄书礼，陶有迁,
来源：核电子学与探测技术 年份：1995
低噪声ＧａＡｓ ＦＥＴ和功率ＧａＡｓ ＦＥＴ经中子辐射都未发生致命性的通或断失效，直流偏置伏态下，其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流ＩＤＳＳ的退化降低，据此提出了ＩＤＳＳ退化失效与快中子注量φｎ之间的解析关键式ｌｎｙ＝ａ＋ｂｌｎφ。......
[期刊论文] 作者：陶有迁,娄书礼,
来源：光电子技术 年份：1999
介绍了电磁敏感度（ＥＭＳ）试验系统的筹建及自制设备的研制过程，对试验方法进行了一些探讨。...
[期刊论文] 作者：娄书礼,龚朝阳,金毓铨,苏德青,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
介绍了微波低噪声ＧａＡｓＦＥＴ恒定应力加速寿命试验结果，沟道温度Ｔｃｈ为１４５℃时，平均寿命ＭＴＴＦ为９．６４×１０＾６ｈ，最主要的失效模式是源漏饱和电流ＩＤｓｓ退化降低。建立了表征ＧａＡｓＦＥＴ稳定性的敏感参数ＩＤｓｓ的退化模型ＩｎＰ＝α＋ｂｌｎｔ，分析了ＩＤｓｓ退化与......
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