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介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行。并获得了微波低噪声GaAs FET在室温条件下的平均失效率已低于10~(-9)/h的结果。
高温工作寿命试验技术研究
【摘 要】
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介绍了在高温(150℃以上)工作寿命试验中,采用陶瓷基板厚膜电路、元器件热压键合和高温导电胶粘接以及耐高温的防振荡吸收材料等措施,保证了直至225℃环境温度的试验正常进行
【机 构】
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南京电子器件研究所210016
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1993年2期
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