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[学位论文] 作者：孙庆灵,
来源：中国科学院大学 年份：2016
InAsSb作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其具有带隙窄、电子迁移率高和稳定性好等特点，在微电子和红外探测领域有很大的应用前景。但是，高质量InAsSb外延膜的生长是比较困难的......
[期刊论文] 作者：孙庆灵,霍金海,谢健,王伟明,,
来源：黑龙江中医药 年份：2014
目的:研究核桃楸叶提取物不同极性部位的体外抗菌作用。方法:采用有机溶剂萃取法将核桃楸叶提取物分为石油醚相,乙酸乙酯相,正丁醇相和水相等4个不同极性部位,采用平板打孔法...
[会议论文] 作者：孙庆灵,王禄,王文奇,孙令,王文新,贾海强,陈弘,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
采用分子束外延方法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAs1-xSbx外延层.实验发现,在生长InAsSb薄膜时,Sb束流相比As束流具有更高的并人能力.利用这一特点,成功实现了双Ⅴ族材料I...
[会议论文] 作者：王禄,孙令,孙庆灵,王文奇,常云杰,王文新,陈弘,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
Sb元素的偏析在Sb化物低维半导体材料极为明显.Sb元素偏析导致低维半导体材料中组分基线展宽,从而形成更宽的激射峰宽以及更弱的量子限制效应.在本文中我们报道,利用分子束外...
[期刊论文] 作者：钟青,王雪深,李劲劲,鲁云峰,李正坤,王文新,孙庆灵,,
来源：物理学报 年份：2016
基于量子霍尔效应的整数值量子电阻标准计量器件,能够有效缩短电阻的量值传递链,减少传递过程引入的不确定度,实现电阻传递的量子化和扁平化.本文系统报告了基于GaAs/Al_xGa1...
[期刊论文] 作者：田海涛,王禄,温才,石震武,孙庆灵,高怀举,王文新,陈弘,
来源：发光学报 年份：2014
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响.使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测...
[会议论文] 作者：孙令,王禄,孙庆灵,王文奇,王文新,贾海强,陈弘,甄红楼,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影响。在不同As元素分子态条件下单层AlGaAs的...
[期刊论文] 作者：田海涛,王禄,温才,石震武,孙庆灵,高怀举,王文新,陈弘,,
来源：发光学报 年份：2014
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测...
[会议论文] 作者：孙令,王禄,甄红楼,孙庆灵,王文奇,王文新,贾海强,陈弘,
来源：第十一届全国分子束外延学术会议 年份：2015
暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影响。在不同As元素分子态条件下单层AlGaAs的...
[期刊论文] 作者：刘希辉,周孝好,王禄,孙庆灵,廖开升,黄亮,李志锋,李宁,
来源：红外与毫米波学报 年份：2015
通过对甚长波量子阱红外探测器的变温变偏压光谱实验,发现了光电流谱峰值响应波长与半高宽随偏置电压和温度变化均会发生变化,尤其以小偏压下峰值移动明显.结合器件能带结构...
[期刊论文] 作者：孙庆灵,王禄,姚官生,曹先存,王文奇,孙令,王文新,贾海强,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可...
[期刊论文] 作者：孙庆灵,姚官生,曹先存,王禄,王文奇,孙令,王文新,贾海强,,
来源：航空兵器 年份：2016
采用分子束外延（MBE）法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对In...
[期刊论文] 作者：孙庆灵,王禄,姚官生,曹先存,王文奇,孙令,王文新,贾海强,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可...
[期刊论文] 作者：孙庆灵,王禄,王文奇,孙令,李美成,王文新,贾海强,周均铭,,
来源：中国物理快报：英文版 年份：2015
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[期刊论文] 作者：孙庆灵,姚官生,曹先存,王禄,王文奇,孙令,王文新,贾海强,陈弘,,
来源：航空兵器 年份：2016
采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对...
[期刊论文] 作者：孙庆灵,王禄,王文奇,孙令,李美成,王文新,贾海强,周均铭,陈弘,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
InAs_(1-x)Sb_x with different compositions is grown by molecular beam epitaxy on(lOO)-oriented semi-insulating GaAs substrates.The increase of Sb content in the...
[期刊论文] 作者：孙庆灵,王禄,江洋,马紫光,王文奇,孙令,王文新,贾海强,周均铭,陈弘,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2016
The resonant excitation is used to generate photo-excited carriers in quantum wells to observe the process of the carriers transportation by comparing the photo...
[期刊论文] 作者：王文奇,王禄,江洋,马紫光,孙令,刘洁,孙庆灵,赵斌,王文新,刘伍明,贾海强,陈弘,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
According to the well-established light-to-electricity conversion theory,resonant excited carriers in the quantum dots will relax to the ground states and canno...
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