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[期刊论文] 作者：严勇,孙慧龄,
来源：半导体学报 年份：1989
单晶硅中磷离子注入的剖面透射电镜(X-TEM)及HREM研究表明:能量为150keV,剂量为1×10~(13)cm~(-2)的磷离子注入后,在未经退火时,单晶硅表面以下1100A处可产生厚度为1000A...
[期刊论文] 作者：孙慧龄,冶宏振,
来源：物理 年份：1985
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[会议论文] 作者：孙慧龄,王培大,严勇,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：冶宏振,孙慧龄,李金荣,游俊富,
来源：仪器仪表学报 年份：1989
因离子探针在测量Si 中注入杂质的浓度分布时不能将被测二次离子计数n_i(x_,t)、各种干扰离子(质量干扰离子、边缘效应离子及再沉积效应离子等)计数n_(in)(x_i,t)及仪器噪声计数n_n(x_i,t)分开,实测二次离子计数N_i(x_i,t)是三者之和。按N_i(x_i,t)算出的注入杂......
[期刊论文] 作者：李秀琼,孙慧龄,王培大,电子束加工组,
来源：微细加工技术 年份：1986
利用低能电子束辐照使涂敷在半导体表面的杂质掺到半导体中去的物理现象,既不是熔化型的,也不符合固—固扩散理论,它遵从一个电和热效应的综合效果。本文就电和热效应两方面...
[期刊论文] 作者：严勇,李齐,冯端,孙慧龄,王培大,
来源：半导体学报 年份：1989
单晶硅中磷离子注入的剖面透射电镜(X-TEM)及HREM研究表明:能量为150keV,剂量为1×10~(13)cm~(-2)的磷离子注入后,在未经退火时,单晶硅表面以下1100A处可产生厚度为1000A的非...
[期刊论文] 作者：严勇,王培大,胡梅生,孙慧龄,李齐,冯端,
来源：半导体学报 年份：1990
剖面透射电镜的变温观察及高分辨电子显微镜(HREM)象表明,Er~+注入(注入能量350kev,注入剂量1×10~(15)cm~(-2))硅单晶后,在表面可形成一连续非晶层。热退火过程中,非晶层可...
[期刊论文] 作者：李岱青,任廷琦,万亚,朱沛然,徐天冰,孙慧龄,
来源：科学通报 年份：1994
稀土元素不完全充满的4f电子壳层被它外部的5p和6s电子壳层有效地屏蔽.这一独特的电子结构使得稀土掺杂半导体材料中4f电子-声子耦合被减弱,因而稀土的发光具有锐利,热稳定性...
[期刊论文] 作者：李秀琼,孙慧龄,王培大,唐革非,徐嘉东,何彩霞,
来源：微细加工技术 年份：1984
本文叙述了利用电子束掺杂技术形成的浅结,最浅达504（?）,载流子峰值浓度大于1×1020/cm3,其衬底可以是低浓度的,也可以是高浓度的(小于或等于1×1019/cm3);并利用电子束掺杂技...
[期刊论文] 作者：孙慧龄,王培大,李秀琼,唐革非,徐嘉东,何彩霞,中国科学院电工所电子束加工组,
来源：微细加工技术 年份：2004
一、引言S做为GaAs的施主杂质是较轻的元素,容易形成良好的掺杂层。用离子注入技术制备GaAs的n型层,常选S~+做为注入的离子。但S在GaAs中的扩散系数比较大。注入后若采用常...
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