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[学位论文] 作者：孟宣华,
来源：复旦大学 年份：2003
该文主要研究了γ射线和X射线辐射对多能级闪存的阈值电压变化及其分布、特性曲线、漏电流等的影响,并研究了辐射后的多能级闪存在不同温度下的退火效应.就辐射和退火对多能...
[期刊论文] 作者：孟宣华,林晶,宗祥福,
来源：半导体技术 年份：2002
回顾了低成本制备芯片上焊料凸点的方法,即化学镀镍制备凸点下金属层、模版印刷焊料,最后回流形成焊料凸点,并综述了该方法的最新研究进展。...
[期刊论文] 作者：孟宣华,殷光迁,顾靖,何国伟,
来源：半导体学报 年份：2003
介绍了一种新型的存储技术——多能级存储，并对应用此技术的多能级闪存进行γ射线辐射，研究了多能级闪存的阈值电压及存储单元的电性能曲线等随辐射剂量、辐射剂量率以及时间的......
[期刊论文] 作者：和平,彭瑶玮,乌健波,孟宣华,何国伟,
来源：半导体学报 年份：2004
采用有限元分析方法对vf-BGA焊球的热疲劳特性进行了模拟．通过扫描电镜(SEM)对温度循环试验后焊球金属间化合物(IMC)层和剪切强度试验后的断裂面进行了形貌、结构和组分的观察...
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