搜索筛选:
搜索耗时0.0717秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 9 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：孟庆宗,,
来源：电力设备 年份：2003
简要回顾了电力半导体器件的发展历史。对光控晶闸管(LTT)、集成门板挟向晶闸管(IGCT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及反向开关两端晶闸管(RSD)等新型器件的工作原理、现状做了...
[期刊论文] 作者：孟庆宗,
来源：电力电子技术 年份：1997
介绍了直径１００ｍｍ，耐压５５００Ｖ硅晶闸管设计方面的几个重要问题。文章指出，采用阶梯式扩散杂分布对高压晶闸管是适宜的；并对过去的短路孔直径间距的计算公式提出了修正。实践表明，大面积，高压晶......
[期刊论文] 作者：孟庆宗,
来源：青年时代 年份：2014
有线电视网络传输技术在运行过程中，由于存在季节的变换、温度的变化、自然的老化、施工的质量以及人为的因素，不可避免的会出现各种问题，既影响了有线电视的播放率，同时又增加了......
[会议论文] 作者：孟庆宗,
来源：中国电工技术学会第一届电化学整流电源新技术研讨会 年份：1997
该文对大功率电力半导体器件阻断电压、通态压降、门极电流的一致性与器件结构物理参数之产蝗关系进行了分析计算。计算结果表明，体压降是通态压降偏差的主要来源，其中基区宽度......
[期刊论文] 作者：陈力才,孟庆宗,
来源：国外电力电子技术 年份：1989
...
[会议论文] 作者：孟庆宗;陆剑秋;,
来源：中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议 年份：1997
以ＮＴＤ硅单晶片，采用多重扩散、光刻、电子束镀膜、喷射腐蚀等工艺，制成Φ１００ｍｍ５０００￣５５００Ｖ特大功率晶闸管。它具有低的通态压降，高ｄｖ／ｄｔ额定值以及灵敏的控制特性，由于采用了多支脉门极－阴极图形结构，动态性......
[期刊论文] 作者：孟庆宗,王映卓,,
来源：高科技与产业化 年份：2009
大功率晶闸管是高压直流输电不可缺少的关键基础件。作为电能变换器件，它是构成直流输电系统高压阀的核心部件，对输电系统的性能、运行的可靠性有举足轻重的作用。本文介绍高压......
[期刊论文] 作者：孟庆宗,王正呜,
来源：电力电子技术 年份：1989
...
[期刊论文] 作者：陈伯时,孟庆宗,Patrick,W.,Wheerler,Jo,
来源：电力电子 年份：2003
《专家点评》是"电力电子"杂志的重要特色栏目之一。我们将邀请电力电子行业中的知名专家,分别就运动控制、变换电源和电力电子元器件等电力电子主要分支中的某篇关键论文发...
相关搜索：
