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[期刊论文] 作者：尹洪辉,孟福坤,许立宪,
来源：半导体技术 年份：1983
通过大量解剖双极型晶体管和集成电路芯片,研究硅平面器件制造过程中诱生缺陷与“发射区陷落效应”之间的关系。认为“发射区陷落效应”不仅与发射区杂质扩散的表面浓度,扩散...
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