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[学位论文] 作者：宁旭斌,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
锑化物具有很高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，因此锑化物HEMT成为新一代的超高速低功耗电子器件，在高频集成电路应用方面极具潜力，有很大的发展空间。本文首先通过ISE-TCAD软......
[期刊论文] 作者：宁旭斌,
来源：理科爱好者（教育教学版） 年份：2004
因式分解是华东师大版八年级数学上学期的一个重要的学习内容.是代数式的一种重要的恒等变形, 它是学习分式的基础,又在恒等变形、代数式的运算、解方程、函数中有广泛的应用...
[期刊论文] 作者：宁旭斌,
来源：科学导报·学术 年份：2020
摘 要：教学不仅是一门艺术，还是一个不可分割的整体，任何一个因素不合格或者出现轻微的差错都会影响整体的教学质量。基于此，本文以初中数学课程为例，探究优化教学过程，提升教学质量的有效手段。 关键词：初中数学;教学过程;教学质量 影响教学质量提升的因素有很......
[期刊论文] 作者：李炘, 方杰, 宁旭斌, 余伟,,
来源：大功率变流技术 年份：2017
变流器是风电机组的核心部件之一,半导体功率模块是变流器装置的基础,其性能对变流器的性能和可靠性影响很大,是风电机组能否稳定可靠运行的关键因素。文章从风电变流器用IGB...
[期刊论文] 作者：周飞宇, 宁旭斌, Luther Ngwendson, 肖强,,
来源：大功率变流技术 年份：2017
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[期刊论文] 作者：周飞宇,宁旭斌,Luther Ngwendson,肖强,Ian Deviny,戴小平,,
来源：大功率变流技术 年份：2017
采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更高功率密度和更优的关断安全工作区性能。高...
[期刊论文] 作者：许俊瑞,吕红亮,张义门,张玉明,张金灿,宁旭斌,,
来源：微电子学 年份：2012
主要对InP/InGaAs异质结进行数值仿真。考虑到异质结界面存在导带不连续和价带不连续,在流体动力学模型的基础上,采用热电子发射模型和隧穿模型,对异质结的直流特性进行仿真...
[会议论文] 作者：Xubin Ning,宁旭斌,Hongliang Lv,吕红亮,Yuming Zhang,张玉明,Yimen Zhang,张义门,Qiangsheng Cui,崔强生,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电子气的影响。在对InAs/AlSb材料的能带结构分析研究的基础上,可以通过在InAs沟道上下两层的......
[会议论文] 作者：XubinNing[1]宁旭斌[2]HongliangLv[1]吕红亮[2]YumingZhang[1]张玉明[2]YimenZhang[1]张义门[2]QiangshengCui[1]崔强生[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电...
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