锑化物具有很高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，因此锑化物HEMT成为新一代的超高速低功耗电子器件，在高频集成电路应用方面极具潜力，有很大的发展空间。本文首先通过ISE-TCAD软件建立了器件模型并对器件进行仿真，为材料生长以及器件制备进行指导。在此基础上，研究了InAs/AlSb材料的能带结构，设计了在InAs沟道上层的势垒中添加N型δ掺杂的外延结构，并利用原子力显微镜（AFM）、CV以及霍尔测试手段，比较了δ掺杂对InAs沟道中二维电子气浓度和迁移率的影响。研究结果表明，在只有上层δ掺杂外延结构的InAs沟道中电子迁移率与二维电子气浓度分别为26000cm²/V·s，8.65×10¹¹cm2，在下层势垒区中添加了δ掺杂以及上层势垒区添加InAs量子阱后的InAs/AlSb材料的电子迁移率与二维电子气浓度分别为16000cm²/V·s，5.9×10¹²cm^-2。此外，研究了插入层厚度对外延材料的表面质量的影响，通过合理的设计，得到二维电子气浓度、迁移率和表面均方根（RMS）都较为理想的外延材料，有利于HEMT器件的制备。设计了InAs/AlSb HEMT器件的工艺流程，并针对关键工艺进行了实验。