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[期刊论文] 作者：姚达,宁润涛,,
来源：微处理机 年份：2008
根据P型VDMOS的特点,对实际的P型VDMOS工艺流程的特殊之处与常规MOS工艺和N型VDMOS工艺进行了对比,提出了较为合理的工艺流程。并利用工艺模拟软件对工艺流程进行了模拟,通过...
[期刊论文] 作者：高加亭,宁润涛,,
来源：微处理机 年份：2011
经过对积分型单稳态原理的分析,设计了一种基于双极工艺的积分型单稳态结构。spectre仿真结果表明,该种单稳态结构只有一个稳态和一个0.5μs的暂稳态。并且暂稳态的时间与触...
[期刊论文] 作者：宁润涛,赵欢,王秀明,,
来源：科技创新导报 年份：2014
对几种常见功率MOSFET的元胞结构、工艺流程和电学参数特点进行了介绍和分析,指出了各类元胞结构的优缺点和工艺实现上的难点,给出了对不同的电压范围应采用的元胞结构的意见...
[期刊论文] 作者：王嵩宇,刘剑,宁润涛,,
来源：电子与封装 年份：2012
根据半导体工艺的需要,介绍了利用SEM分析工艺问题的方法。主要包括样品的解理、缀饰及为提高导电性所采用的镀膜方法比对,其中高效、准确的解理定位是重要前提。三个典型案...
[期刊论文] 作者：石广源,胡子阳,宁润涛,王福君,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：2005
随着设计复杂程度的增加,RTL级仿真验证时间大幅度增加,已经成为设计的瓶颈.使用硬件仿真器可以加快仿真速度,提高仿真效率,是设计百万门以上电路的不可或缺的工具....
[期刊论文] 作者：孙嘉兴, 宁润涛, 胡子阳, 张俊松, 赵庆哲,,
来源：辽宁大学学报(自然科学版) 年份：2006
通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件M ed ic i,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对...
[会议论文] 作者：宁润涛,杨珏琳,任敏,黄锴,尹杰,王君龙,章志海,李泽宏,张金平,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
超结结构突破了普通VDMOS的"硅限",获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间的矛盾.本文提出了半超结元胞和终端的设计思...
[会议论文] 作者：宁润涛,宋洵奕,任敏,黄锴,尹杰,李洁,朱金粦,李泽宏,张金平,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
更低的导通损耗和开关损耗一直是功率VDMOS发展的方向.本文提出了一种适用于低压应用的具有体内RESURF结构的槽栅型VDMOS,并借助仿真软件进行了设计和优化,获得了耐压62V的器...
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