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超结结构突破了普通VDMOS的"硅限",获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间的矛盾.本文提出了半超结元胞和终端的设计思路,并对其主要的工艺参数和电学特性进行了仿真优化,最终得到击穿电压为967V，比导通电阻为4.95Ω·mm2,阈值电压为2.6V的半超结元胞结构.