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[学位论文] 作者：崔力铸,,
来源：电子科技大学 年份：2017
现代集成电路作为电子信息设备的核心取得了广泛的应用,其稳定性一直得到各界关注。随着现代集成电路工艺特征尺寸的不断缩小,在先进工艺下,使用先进Tri-Gate结构的FinFET器...
[期刊论文] 作者：崔力铸,李磊,刘文韬,,
来源：微电子学 年份：2017
对基于25nm FinFET结构的SRAM单粒子效应进行研究。使用Synopsys Sentaurus TCAD仿真软件进行器件工艺校准,并对独立3DFinFET器件以及包含FinFET器件和HSpice模型的混合电路(...
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