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[期刊论文] 作者：崔影超, 谢自力, 赵红, 李弋, 刘斌, 宋黎红, 张荣, 郑,
来源：半导体技术 年份：2008
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[期刊论文] 作者：崔影超,谢自力,赵红,李弋,刘斌,宋黎红,张荣,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2008
对MOCVD生长的r-Al2O3上的a面GaN薄膜采取了两种方式的室温阴极荧光的测试,即固定电子束加速电压改变电子束流和固定电子束流改变加速电压。结果显示,非极性a面GaN的带边和黄...
[期刊论文] 作者：丁煜,刘斌,崔影超,赵红,谢自力,张荣,陈鹏,修向前,郑有炓,
来源：光学学报 年份：2012
使用A1N插入层方法由金属有机化学气相沉积（MOCVD）在GaN上生长的不同A1组分的AlxGa1-xN以及掺MgAl0.54Ga0.45N。使用阴极荧光的测试方法先后对未掺杂AlxGa1-xN和掺杂Mg的Al0.54...
[期刊论文] 作者：宋黎红,谢自力,张荣,刘斌,李弋,傅德颐,张曾,崔影超,修向,
来源：半导体技术 年份：2008
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面...
[会议论文] 作者：宋黎红;韩平;施毅;郑有炓;谢自力;张荣;刘斌;李弋;傅德颐;张曾;崔影超;修向前;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角,面...
[期刊论文] 作者：宋黎红,谢自力,张荣,刘斌,李弋,傅德颐,张曾,崔影超,修向前,韩平,施毅,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2008
利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机化学气相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角、面...
[会议论文] 作者：谢自力;宋黎红;崔影超;韩平;施毅;郑有炓;张荣;崔旭高;陶志阔;修向前;刘斌;李弋;傅德颐;张曾;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
稀磁半导体由于具有电子自旋输运和存储特性而倍受瞩目。近年来,稀磁半导体的III-V族氮化物研究取得了很大的进展。本文利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn...
[期刊论文] 作者：谢自力,张荣,崔旭高,陶志阔,修向前,刘斌,李弋,傅德颐,张曾,宋黎红,崔影超,韩平,施毅,郑有炓,,
来源：半导体技术 年份：2008
利用金属有机物化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长了Mn掺杂GaN基稀磁半导体材料。原子力显微镜研究表明,少量的Mn在样品表面起到活性作用。X射线衍射和喇曼散射研究表明,当Mn...
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