【摘 要】
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利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角,面
【机 构】
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南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京 210093
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用高分辨X射线衍射方法,分析了在LiAlO2(100)面上采用金属有机物化学汽相沉积生长的m面GaN薄膜的微观结构和位错。采用对称面扫描和非对称面扫描等方法研究了晶面倾转角,面内扭转角,横向和垂直关联长度等,由此得到螺位错和刃位错密度。考虑到m面GaN的各向异性。我们将(0001)晶向定义为0度方向。与之垂直的方向为90度方向,分别按0度和90度两个不同方向进行x射线衍射的研究。0度方向和90度方向螺位错密度分别为1.97×1010cm-2,7.193×109cm-2,0度方向螺位错密度较大；0度和90度方向刃位错密度分别为3.23999×1010cm-2,7.35068×1010cm-2,90度方向刃位错密度较大。两个方向位错密度的差异显示了非极性GaN薄膜各向异性的特征。
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