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[期刊论文] 作者：张力江,幺锦强,周俊,王敬松,,
来源：半导体技术 年份：2010
基于GaAs器件干法刻蚀工艺,介绍感应耦合等离子(ICP)的刻蚀原理,以Cl2和BCl3为刻蚀气体,研究分析了在GaAs表面刻蚀工艺中不同的腔体压力下设备直流偏压的变化情况。发现在各...
[期刊论文] 作者：张力江, 幺锦强, 崔玉兴, 付兴昌,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响。分别采用了湿法腐蚀和干...
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