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[会议论文] 作者：张东炎[1]郑新和[2]唐龙娟[2]王辉[3]董建荣[2]杨辉[2],
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成...
[会议论文] 作者：张东炎[1]郑新和[2]唐龙娟[2]王辉[3]董建荣[2]杨辉[2],
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
本文详细分析了GaN上不同厚度较高In组分(～30％)InGaN薄膜的结构和光学特性。不同厚度(40nm、120nm和800nm)的氮化物薄膜在蓝宝石衬底上经金属有机化学气相沉积技术生长获得。高...
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