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[会议论文] 作者：张帅;肖胜安;王飞;刘继全;刘鹏;,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
华虹NEC深沟槽刻蚀和填充超级结工艺技术的核心是完美的深沟槽刻蚀技术和深沟槽填充技术。满足700 V击穿电压要求的沟槽深度达到3540 Eun，考虑到P型和n型耗尽后微观的电荷...
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