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[学位论文] 作者：张有润,,
来源： 年份：2005
20 世纪90 年代以来,平板显示技术地迅猛发展和产业化,极大的促进了透明导电薄膜的发展,同时对透明导电薄膜提出了更高的要求。对于新型显示器件OLED（有机电致发光）来说,由于是...
[学位论文] 作者：张有润,,
来源： 年份：2010
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下理想的...
[会议论文] 作者：张有润;高云斌;,
来源：2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会 年份：2011
本文采用一种VDMOS(垂直双扩散MOS)结构，借助Silvaco软件中的Atlas器件仿真工具，通过对迁移率模型及复合模型、雪崩击穿模型的修正，使得器件输出特性较接近实测数据，并通过对......
[期刊论文] 作者：刘影, 谢驰, 张有润,,
来源：四川电力技术 年份：2016
针对负荷模型的稳定性直接影响电力系统分析计算的可靠程度问题,提出了将粒子群算法与分散协调控制相结合的负荷模型参数辨识方法。该负荷模型参数辨识方法根据负荷节点的电...
[会议论文] 作者：吴浩然,张有润,高云斌,张波,
来源：四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 年份：2012
固态继电器(Solid State Relays,SSR)是一种无触点电子开关,本文介绍的一种固体继电器基本原理为:将一个控制装置连接到光伏二极管阵列与输出金属氧化物场效应管的栅极之间,从而使控制装置在输入端光照时处于高阻状态,在光照消失时处于低阻状态,以便光照时光伏......
[期刊论文] 作者：王军,林慧,杨刚,蒋亚东,张有润,,
来源：半导体光电 年份：2007
利用直流磁控溅射系统制备ITO薄膜，采用正交试验表格L32（4^8）安排试验。测试了薄膜的方阻和透过率，分析了8个工艺参数对薄膜电光特性的影响，其中沉积气压、氩氧流量比和退火温度的......
[期刊论文] 作者：张波,邓小川,张有润,李肇基,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理...
Two-dimensional analysis of the interface state effect on current gain for a 4H-SiC bipolar junction
[期刊论文] 作者：张有润,张波,李肇基,邓小川,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
This paper studies two-dimensional analysis of the surface state effect on current gain for a 4H-SiC bipolar junction transistor (BJT).Simulation results indica...
[期刊论文] 作者：邓小川,张波,李肇基,张有润,,
来源：半导体学报 年份：2009
An improved dual-channel 4H-SiC MESFET with high doped n-type surface layer and step-gate structure is proposed, and the static and dynamic electrical performan...
[会议论文] 作者：李珂,李泽宏,张有润,刘娟,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
设计一种与双极工艺兼容的可集成硅基光电探测器.对所提出的探测器进行理论分析,建立了可与传统双极工艺集成的工艺制程。仿真分析表明：未添加增透膜,器件光敏面面积为800μm×1000μm,在波长850nm的光照情况下,光电探测器的响应度为0.4A/W,-3dB带宽为165MHz。......
[期刊论文] 作者：刘曦麟,张波,张有润,邓小川,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端，辅助耐压的p^＋环位于刻蚀型外延终端的表面，采用离子注入的方式......
[期刊论文] 作者：钟炜,张有润,李坤林,杨啸,陈航,
来源：微电子学 年份：2020
随着碳化硅MOSFET器件在功率变换领域的广泛应用,碳化硅MOSFET器件的瞬态可靠性问题成为研究热点.文章主要研究了1 200 V SiC MOSFET瞬态可靠性的测试与表征.通过搭建短路和U...
Improved performance of 4H-SiC metal-semiconductor field-effect transistors with step p-buffer layer
[期刊论文] 作者：邓小川,张波,张有润,王易,李肇基,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
An improved 4H-SiC metal-semiconductor field-effect transistors (MESFETs) with step p-buffer layer is proposed,and the static and dynamic electrical performance...
[期刊论文] 作者：王帅,张有润,罗佳敏,罗茂久,陈航,
来源：微电子学 年份：2020
碳化硅(SiC)PiN二极管是应用在高压大功率整流领域中的一种重要的功率二极管.受SiC外延材料的载流子寿命限制以及常规SiC PiN二极管较低的阳极注入效率的影响,SiC PiN二极管...
Thermal analytic model of current gain for bipolar junction transistor-bipolar static induction tran
[期刊论文] 作者：张有润,张波,李泽宏,赖昌菁,李肇基,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
This paper proposes a thermal analytical model of current gain for bipolar junction transistor-bipolar static induction transistor (BJT-BSIT) compound device in...
[期刊论文] 作者：张有润,张波,李肇基,邓小川,刘曦麟,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
In this paper,a new structure of a 4H-SiC bipolar junction transistor(BJT) with a buried layer(BL) in the base is presented.The current gain shows an approximat...
[期刊论文] 作者：宋鹏汉,张有润,甄少伟,周万礼,汪煜,
来源：电子与封装 年份：2021
设计了一种基于SOI材料制作的兼顾响应度和带宽的光电探测器,该光电探测器采用标准0.18μm CMOS工艺,与现有工艺完全兼容,同时易于单片集成。利用Silvaco对该光电探测器进行了仿真,并对仿真结果进行分析。分析了光电探测器响应度和带宽的影响因素,通过控制吸收......
[期刊论文] 作者：张飞翔, 万宵鹏, 甄少伟, 张有润, 罗萍, 张波,,
来源：微电子学 年份：2015
提出一种正反馈摆率增强运算跨导放大器(OTA),采用共栅输入结构,利用MOS管自身平方率的I-V特性,突破了尾电流对OTA摆率的限制。输入级采用局部正反馈结构,进一步增强了OTA的...
[期刊论文] 作者：张有润,施金飞,刘影,孙成春,郭飞,张波,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
A novel 4H-SiC BJT of high current gain with a suppressing surface traps effect has been proposed. It is effective to improve the current gain due to the lower...
[期刊论文] 作者：郭俊泽, 张有润, 章玉飞, 路统霄, 周万礼, 柯尊贵,,
来源：电子与封装 年份：2004
设计了一种基于峰值采样原理的高速光接收电路,该光接收电路为克服光电二极管的光电流拖尾现象,引入了峰值采样电路对光脉冲的波峰信号进行检测,解决了传统方案中采用比较器...
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