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[学位论文] 作者：张桐鹤,,
来源：长春理工大学 年份：2020
氮化镓(GaN)半导体材料作为第三代半导体的代表,其体现出来比重小、比强度突出、能量吸收理想等积极优势,已成为全球半导体科研方面的热点问题,引起了众多人员的充分关注。现阶段,在多孔GaN材料的工业化制备中,最常用的技术为干法刻蚀(ICP),其最大优势为能够借......
[期刊论文] 作者：张桐鹤,李林,苑汇帛,曾丽娜,张晶,李再金,曲轶,马晓辉,刘,
来源：现代物理 年份：2018
通过电化学刻蚀法以KOH作为刻蚀液制备多孔GaN材料。本文主要研究刻蚀电压和刻蚀液浓度两方面对多孔GaN材料形貌的影响,其中刻蚀电压变化范围为10 V~25 V,并以能带模型进行理...
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