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[期刊论文] 作者：张苗,林陈彬,,
来源：军事文摘 年份：2017
1983年10月25日-28日,美军趁加勒比海岛国格林纳达发生政变之际入侵该国,对格林纳达发动了代号为"暴怒行动"的海空联合登陆作战。在短短4天时间里,以亡18人、伤91人、损...
[期刊论文] 作者：张苗林,曾碧贵,,
来源：福建电脑 年份：2015
本文基于R语言开源的开发平台,提出了一种以Bioconductor为生物计算环境,利用软件包在本地服务器构建初步数据分析系统。主要围绕急性淋巴细胞白血病(Acute lymphobalstic le...
[期刊论文] 作者：李纪岩,张苗,林道美,
来源：漳州职业技术学院学报 年份：2019
习近平新时代青年思想政治教育思想扎根于马克思主义青年教育思想之中,奠基于中国共产党青年教育思想之上,深刻回答了新时代为什么要加强青年思想政治教育、怎么样开展青年思...
[期刊论文] 作者：张苗,林先军,陈洪雷,
来源：临床军医杂志 年份：2003
目的 总结小型铁板坚固内固定治疗颌骨骨折的经验。方法骨折手法复位，确定咬合关系正确后做临时颌间结扎。按Champy理想线确定固定位置，选择合适钻板并塑形使之与颌骨表面密合，......
[期刊论文] 作者：宋华清,石兢,张苗,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2003
结合中等剂量的氢离子注入和阳极键合( Anodic bonding),利用智能剥离技术( Smart-ut) 成功转移了一层单晶硅到玻璃衬底上.采用剖面透射电镜、高分辨透射电镜、扫描电镜和拉...
[期刊论文] 作者：黄亮亮,张苗,林慧娟,李翾,
来源：时代教育（教育教学版） 年份：2012
公有民办二级学院的学风建设问题是提高学院办学质量的关键所在.本文以南京林业大学南方学院为例,阐述了学习环境、异地办学、学院管理及教风对学风建设的影响....
[期刊论文] 作者：张苗,林先军,吴子忠,柳玉晓,
来源：实用医药杂志 年份：2007
目的比较75％氟化钠甘油（A）、Gluma脱敏剂（B）、氟保护漆（C）三种脱敏药物治疗牙本质过敏症的效果。方法将86例患牙本质过敏症的128颗牙随机分为A、B、C三组，分别用上述三种药物脱敏治疗......
[期刊论文] 作者：林青,谢欣云,朱鸣,张苗,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
阐述了自加热效应产生的原因以及它对SOI电路的影响,并介绍了为克服自加热效应和满足某些特殊器件和电路的要求,国内外正在竞相探索研究的新型SOI结构,如SOIM、SilicononAlN...
[期刊论文] 作者：张苗, 林先军, 姜广水, 杨丕山, 卞继峰,,
来源：泰山医学院学报 年份：2007
目的构建含变形链球菌唾液结合区段（SBR）基因的原核表达载体，并在大肠杆菌JM109（DE3）中诱导表达。方法采用定向克隆方法将变形链球菌唾液结合区段（SBR）基因插入表达载体pcMVT7，构建重......
[期刊论文] 作者：刘颖, 木泰华, 孙红男, 张苗, 林启训,,
来源：食品工业科技 年份：2013
泡沫分离技术是以气泡为分离介质来浓缩表面活性物质的一种分离技术，具有设备和工艺简单、投资少、能耗低和不产生污染等特点，在食品组分分离的应用研究和工业化生产中起着重要......
[期刊论文] 作者：门传玲,徐政,安正华,张苗,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2002
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝...
[期刊论文] 作者：王石冶,刘卫丽,张苗,林成鲁,宋志棠,
来源：功能材料 年份：2004
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和...
[期刊论文] 作者：谢欣云,林青,门传玲,安正华,张苗,林成鲁,
来源：物理 年份：2002
SOI(silicon-on-insulator:绝缘体上单晶硅薄膜)技术已取得了突破性的进展,但一般SOI结构是以SiO2作为绝缘埋层,以硅作为顶层的半导体材料,这样导致了一些不利的影响,限制了...
[期刊论文] 作者：门传玲,徐政,郑志宏,多新中,张苗,林成鲁,
来源：压电与声光 年份：2001
利用离子束增强沉积(IBED)法成功地在Si(100)衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜.XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al和N2存在,随着Al蒸发速率的提高,N/Al下降,在...
[期刊论文] 作者：张天昊,翁惠民,范扬眉,杜江峰,周先意,韩荣典,张苗,林成鲁,
来源：核技术 年份：2001
用慢正电子束探针测量了经剂量为5×1016cm-2的140keVHe+注入的Si(100)单晶S参数与正电子入射能量的关系,得到了注入产生缺陷的分布规律,发现近表面区域损伤不大,缺陷主...
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