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[期刊论文] 作者：张荣修,,
来源：科技与企业 年份：2013
煤炭企业探索建立员工幸福指数体系,目的是提高行业幸福水平,让员工共享企业经济增长成果。本文重点介绍了煤炭企业员工幸福工程的设计与建设总体思路、建设的原则,煤炭企业...
[期刊论文] 作者：张荣修,
来源：四川水利 年份：2002
江泽民同志关于中国共产党始终代表中国先进社会生产力的发展要求、始终代表中国先进文化的前进方向、始终代表中国最广大人民的根本利益的重要论述，高屋建瓴，内涵丰富，思想深刻......
[期刊论文] 作者：张荣修,,
来源：现代企业文化 年份：2004
由于煤炭行业的特殊性、工作环境的恶劣性、地质条件的多变性等诸多方面的不利因素,导致煤矿事故频发.群众安全监督组织(群监会),是工会的重要工作之一,加强群监组织建设,提...
[期刊论文] 作者：张荣修,
来源：肉类工业 年份：1995
春都集团积极围绕市场供求及膳食结构变化,根据国内外快餐食品发展走势,开发快餐食品业,日前,投资800万元引进荷兰哥本士(Koppens)快餐生产线建成并运行投产。 目前,春都集...
[期刊论文] 作者：张荣修,
来源：管理学家·学术版 年份：2014
【摘 要】工会工作在煤炭企业发展中占据着非常重要的作用，工会的存在可以最大限度地维护劳动者的利益，可以充分发挥组织的凝聚力，可以说工会工作对煤炭企业发展的作用是非常明显也是非常直观的，本文将简单介绍工会工作在煤炭企业发展中的地位和作用，探讨如何进一步......
[期刊论文] 作者：赵连明,张荣修,
来源：山东医药 年份：1992
作者用舌下含化尼卡地平观察了47例原发性高血压病人的降压及血液动力学改变。结果显示,该药有明显扩张血管、降低后负荷及心肌耗氧量作用。但合并肺动脉高压者不宜应用。...
[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 陆海, 陈鹏, 谢自力, 刘斌, 韩平,,
来源： 年份：2004
HVPE是近年来收到高度重视的GaN生长方法。由于它具有生长速率高、生长质量优良等特点,是目前发展GaN自支撑衬底、GaN模板和部分低成本器件的优选方法。本文将综述GaN的H...
[期刊论文] 作者：赵连明,张玉,张荣修,毛锦春,吴庆利,
来源：山东医药 年份：1992
作者用舌下含化尼卡地平观察了47例原发性高血压病人的降压及血液动力学改变。结果显示,该药有明显扩张血管、降低后负荷及心肌耗氧量作用。但合并肺动脉高压者不宜应用。T...
[期刊论文] 作者：谢自力,李弋,刘斌,张荣,修向前,陈鹏,郑有炓,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
The non-polar a-plane GaN is grown on an r-plane sapphire substrate directly without a buffer layer by metalorganic chemical vapour deposition and the effects o...
[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 陆海, 陈鹏, 谢自力, 刘斌, 韩平, 刘治,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议论文集 年份：2010
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[期刊论文] 作者：卢佃清, 张荣, 修向前, 李杰, 顾书林, 沈波, 施毅,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
研究了利用水平氢化物气相外延 (HVPE)系统在蓝宝石衬底上外延氮化镓 (Ga N)的生长规律 ,重点研究了作为载气的氮气流量对 Ga N膜的结构及光学性质的影响。观察到载气流量对...
[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 崔旭高, 陶志阔, 李斌斌, 刘斌, 李杰,
来源： 年份：2004
半导体自旋电子材料是实现自旋电子器件、自旋光电子器件和量子信息器件的物质基础。传统的 GaAs 基稀释磁性半导体的居里温度只有110K,为了实际应用,急需发展居里温度在...
[期刊论文] 作者：陈晓清, 谢自力, 张荣, 修向前, 顾书林, 韩平, 施毅,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[会议论文] 作者：张荣, 修向前, 崔旭高, 陶志阔, 李斌斌, 刘斌, 李杰,,
来源：第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集 年份：2007
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[期刊论文] 作者：李弋, 刘斌, 谢自力, 张荣, 修向前, 江若琏, 韩平, 顾,
来源：功能材料 年份：2008
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[期刊论文] 作者：卢佃清, 张荣, 修向前, 李杰, 顾书林, 沈波, 施毅, 郑,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
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[期刊论文] 作者：谢自力,张荣,修向前,毕朝霞,刘斌,江若琏,沈波,顾书林,韩,
来源：纳米技术与精密工程 年份：2004
GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中,并可用于大功率微波器件.最近几年,由于GaN蓝光二极管的成...
[期刊论文] 作者：刘战辉,张李骊,李庆芳,张荣,修向前,谢自力,单云,,
来源：物理学报 年份：2014
分别在Si(110)和Si(111)衬底上制备了In Ga N/Ga N多量子阱结构蓝光发光二极管(LED)器件.利用高分辨X射线衍射、原子力显微镜、室温拉曼光谱和变温光致发光谱对生长的LED结构...
[期刊论文] 作者：陈晓清,谢自力,张荣,修向前,顾书林,韩平,施毅,郑有炓,
来源：微纳电子技术 年份：2004
利用溶胶-凝胶法在硅衬底上制备了纳米ZnO薄膜.研究了热处理对ZnO薄膜的质量与发光性能的影响.结果表明,纳米ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,并且,随着退火温度的升高,ZnO的晶粒...
[期刊论文] 作者：谢自力,张荣,修向前,毕朝霞,刘斌,濮林,陈敦军,韩平,顾书,
来源：人工晶体学报 年份：2005
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜.首先以TMIn作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金...
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