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[期刊论文] 作者：严六明,吴伟,张靖巍,陈念贻,彭瑞伍,
来源：半导体学报 年份：1995
本文用ＤＴＡ法测量了Ｇａ－Ｉｎ－Ａｓ－Ｓｂ系合金的液相线温度，并用滑舟法在Ｇａｓｈ衬底上生长液相外延膜，并用电子探针法分析膜的成分．在此基础上利用实验数据和文献数据训练人工神经网络模型，神经网络模型用交叉......
[期刊论文] 作者：邹吕凡,王占国,孙殿照,张靖巍,李建平,孔梅影,林兰英,
来源：半导体学报 年份：1997
用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了测试分析．对于Si(0.91)Ge(0．09)和Si(0.86)Ge(0...
[期刊论文] 作者：邹吕凡,王占国,孙殿照,何沙,范缇文,刘学锋,张靖巍,
来源：半导体学报 年份：1996
用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的快速退火行为进行了研究，Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３，Ａｓ注入剂量为２×１０＾１６ｃｍ＾－２，注放能量为１００ｋｅＶ，快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒，实验结果表明，Ｓｉ２－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈组分密切相关......
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