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[期刊论文] 作者：陈正才,黄龙,彭时秋,
来源：电子与封装 年份：2020
通过设计5 V双向TVS产品,分析了N+注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率,正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V,各项动态参数均满足产品要...
[期刊论文] 作者：陈正才,彭时秋,林丽,黄龙,
来源：电子与封装 年份：2021
介绍了采用平面结构设计与Si外延工艺制造低压调整二极管的技术。该技术论证了Si平面结型5.1 V低压调整二极管的击穿机理为隧道击穿,同时设计了一种新型Si平面结型低压调整二...
[期刊论文] 作者：彭时秋,朱赛宁,肖步文,
来源：传感器与微系统 年份：2022
针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度及线性度较难兼顾的问题,设计了一种可应用于电子血压计量程为40 kPa的MEMS压力传感器.首先基于硅压阻式MEMS压力传感器的工作原理,使用COMSOL Mutilphysics软件对传感器结构进行仿真设计,根据理论计算各结构尺寸,得到可获......
[期刊论文] 作者：陈全胜,张明,彭时秋,陈培仓,王涛,贺琪,
来源：电子与封装 年份：2021
硅基雪崩光电二极管是一种可用于对微弱光甚至单光子进行探测的光电器件,被广泛应用于激光测距、激光成像、量子通信和生物医疗等领域。从工作原理、常见结构和分类3个方面对...
[期刊论文] 作者：徐政,吴素贞,徐海铭,廖远宝,吴锦波,彭时秋,赵文彬,
来源：微电子学 年份：2021
仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性.结果 表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性.重点分析了1 pC/μm......
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