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[会议论文] 作者：严卫东, 徐娜军,,
来源： 年份：2004
本文运用图像相关技术,对地下核试验前后爆心区域的地表变化程度及其规律性进行了定量化的数值统计分析;提出了基于图像相关性变异检测的技术方案;理论和实践证明。应用相关...
[期刊论文] 作者：刘传洋, 张廷庆, 刘家璐, 王剑屏, 黄智, 徐娜军, 何宝平,
来源：微电子学 年份：2002
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[期刊论文] 作者：刘传洋,张廷庆,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,
来源：微电子学 年份：2002
对MOS器件在低剂量率γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究.对不同偏置及退火条件下MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比.结果表明,偏置在MOS器件栅氧化层内产生电场,增...
[期刊论文] 作者：张廷庆,刘传洋,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,
来源：物理学报 年份：2004
对金属-氧化物-半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较.结果表明,...
[期刊论文] 作者：王剑屏,徐娜军,张廷庆,汤华莲,刘家璐,刘传洋,姚育娟,彭宏,
来源：物理学报 年份：2000
研究了金属-氧化物-半导体(MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应.采用加固的CC4007进行辐照实验,在不同温度、不同偏压,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较,...
[期刊论文] 作者：刘传洋,张廷庆,刘家璐,王剑屏,黄智,徐娜军,何宝平,彭宏论,姚育娟,王宝成,
来源：微电子学 年份：2002
对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生...
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