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[期刊论文] 作者：赵猛,施雪捷,杨勇胜,潘梓诚,俞少峰,,
来源：科学技术与工程 年份：2013
基于Synopsys SWB仿真平台,研究了高K介质金属栅器件中栅功函数变化在N/PMOSFET器件的影响；模拟和分析了金属栅功函数在Lgate=32 nm N/PMOSFET器件工作特性提高中的最佳优化方...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,樊路加,宋安飞,施雪捷,张正,
来源：电子器件 年份：2002
本文在对p+ p p+结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在(27～300℃)宽温区高温特性,理论和实验研究结果表明p+p p +结构薄...
[期刊论文] 作者：冯耀兰,樊路加,宋安飞,施雪捷,张正璠,
来源：电子器件 年份：2002
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区高温特性 ,理论和实验研究结果表明 p+ p...
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